Bhadra?立式LPCVD BHC200
Bhadra?立式LPCVD BHC200
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型號

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功能

  • 氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉積

  • 適用于功率半導體/襯底材料?

重要參數

  • 最大晶圓尺寸:8寸及以下晶圓

  • 最大載片量:125片/批

  • 最高加熱溫度:1050℃

  • 成膜種類:根據不同工藝要求工藝源可選配?

裝卸片方式

  • 立式垂直升降

  • 垂直真空密封系統?

? ? ? ? ? ??優勢
  • 先進的壓力控制技術

  • 五區高精度溫度場控制

  • 先進的顆??刂萍夹g

  • 先進微環境氧含量控制

  • 穩定的傳輸控制能力


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